摘要：
寄生电容（Parasitic Capacitance）： 定义：寄生电容是电路中由于布局、制造工艺和材料特性等不可避免的电容。这些电容并不是设计者刻意加入的，而是电路元件和导线之间无意中形成的。 示例：MOSFET中，栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）、源漏电容（Cds）等都是寄生电容。 影响： 阅读全文
摘要：
动态CMOS（Dynamic CMOS）电路没有上拉延时的原因在于其独特的工作方式。动态CMOS电路利用了电容的存储特性来保持信号状态，而不是像静态CMOS那样依赖于PMOS和NMOS的互补配置来维持逻辑状态。 动态CMOS电路的特点 预充电和评估阶段： 预充电阶段：在时钟信号的某一相位，电路的节点 阅读全文
摘要：
反相器（反向器或倒相器）的源极和漏极通常不能互换。反相器常用的实现方式是利用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），包括n型MOSFET和p型MOSFET。 n型MOSFET (NMOS)： 源极：连接到低电平（通常是地）。 漏极：连接到高电平（通常是电源）。 p型MOSFET (PMOS)： 源 阅读全文
摘要：
数字电路中，栅极电压Vg一般来说要么为高电平——接近power VDD，开启NMOS；要么为低电平——接近ground VSS，开启PMOS。MOS开启后会把Vd拉到接近Vs，即Vds≈0＜Vgs-Vth，但是满足Vgs≥Vth，此时MOS工作在三极管区。当MOS关断时（Vgs＜Vth），工作在截止 阅读全文
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